Основы оптоэлектроники

А. И. Астаикин, М.К. Смирнов.

Основы оптоэлектроники

Саров: РФЯЦ-ВНИИЭФ, 2001.- 260 с., 189 рисунков. 21 таблица ISBN 5-85 165-625-5

Книга российских авторов Астайкина А.И. и Смирнова М.К. “Основы оптоэлектроники” написана на основе курса лекций по “Оптоэлектронике”, читаемых в течение ряда лет в СарФТИ МИФИ для студентов групп электронных специальностей. В книге рассматриваются основные типы оптоэлектронных приборов, применяемых в современной радиоэлектронной аппаратуре. В трех основных разделах приводится информация о фоточувствительных, светоизлучающих и оптронных приборах, соответственно. В четвертом разделе излагаются особенности построения и расчета электронных схем с использованием оптоэлектронных приборов. Основные разделы посвящены вопросам, связанным с физическими явлениями, лежащими в основе принципа действия оптоэлектронных приборов. Также здесь рассматривается конструктивное устройство и основные параметры приборов различных типов. В книге приводится много иллюстраций в виде таблиц, графиков и рисунков, что способствует улучшению понимания изложенного материала. Большое количество практических схем показывает возможности использования оптоэлектронных приборов в различных областях электронной техники и облегчает начинающим разработчикам РЭА решение задач, связанных с их применением. Краткость изложения и тщательно отобранный минимум необходимого материала являются достоинством книга и приближают ее к справочнику по широкому кругу вопросов, связанных с оптоэлектроникой.
Книга может быть использована в качестве учебного пособия для студентов и аспирантов соответствующих специальностей и будет полезна инженерно-техническим и научным работникам, занимающимся разработкой и применением радиоэлектронных устройств.

Категория:

СОДЕРЖАНИЕ

Список сокращений
Список принятых обозначений
Введение

1. Основы фотометрии
1.1. Свет и его основные свойства
1.2. Энергетическая фотометрия
1.3. Визуальная фотометрия

2. Приемники оптического излучения
2.1. Классификация приемников излучения
2.2. Параметры и характеристики ФПМ
2.2.1. Параметры напряжений, сопротивлений и токов ФПМ
2.2.2. Параметры чувствительности фотоэлектронных приборов
2.2.3. Пороговые и шумовые параметры ФПМ
2.2.4. Параметры спектральной характеристики ФПМ
2.2.5. Геометрические параметры ФПМ
2.2.6. Параметры инерционности ФПМ
2.2.7. Спектральные характеристики ФПМ
2.2.8. Основные характеристики зависимости параметров ФПМ
2.3. Явление фотопроводимости и внугренний фотоэффект
2.4. Фоторезисторы
2.4.1. Принцип действия ФР
2.4.2. Основные характеристики ФР
2.4.3. Конструкции ФР
2.4.4. Основные достоинства и недостатки ФР
2.4.5. Типовые параметры ФР
2.5. Фотодиоды
2.5.1. Воздействие света на /?-л-иереход
2.5.2. Устройство р-/’-/?-фотодиода
2.5.3. Режимы работы фотодиода
2.5.4. Основные параметры и характеристики ФД
2.5.5. Основные достоинства и недостатки /?-/-»-фото диодов
2.5.6. Фотодиоды с барьером Шотки
2.5.7. Гетерофотодиоды
2.5.8. Лавинные фотодиоды
2.6. Фоточувствительные МДП-приборы
2.6.1. Принцип действия фото-МДП-структур (ФМДП)
2.6.2 Основные режимы работы ФМДП-приборов
2.6.3. ФМДП-структуры со сквозным током
2.6.4. ФМДП-диоды на основных носителях заряда
2.6.5. Переключающие ФМДП-структуры
2.6.6. Лавинные ФМДП-диоды
2.7. Фототранзисторы
2.7.1. Принцип действия биполярного фототранзистора
2.7.2. Основные параметры и характеристики ФТ
2.7.3. Полевые фототранзисторы с /?-«-переходом
2.7.4. Фототранзисторные структу ры с широкозонным эмиттером
2.7.5. Разновидности приборов ФТГ
2.8. Фототиристорные структуры
2.9. Тепловые приемники оптического излучения
2.9.1. Болометры
2.9.2 Термоэлементы
2.9.3. Пироэлектрические фотоприемники
2.10. Фотоприемники на основе внешнего фотоэффекта
2.10.1. Физические основы внешнею фотоэффекта
2.10.2. Свойства фото катодов
2.10.3. Вакуумный фотоэлемент
2.10.4. Газонаполненные фотоэлементы
2.10.5. Фотоумножители

3. Полупроводниковые источники оптического излучения
3.1. Виды генерации оптического излучения
3.2. Инжекционная люминесценция
3.3. Внугренняя квантовая эффективность полупроводникового излучателя
3.4. Внешняя квантовая эффективность
3.5. Светодиоды
3.5.1. Основные параметры и характеристики светодиодов
3.5.2. Сравнительные параметры некоторых отечественных и импортных промышленных типов светодиодов
3.5.3. Конструкция светодиодов
3.5.4. Перспективы развития и применения излучающих диодов
3.6. Инжекционные полупроводниковые лазеры
3.6.1. Условия возникновения лазерной генерации
3.6.2. Понятие инверсной населенности
3.6.3. Лазерное усиление
3.6.4. Условие лазерной генерации и порог возбуждения
3.6.5. Направленность лазерного излучения
3.6.6. Свойства гетероструктур
3.6.7. Полупроводниковый лазер на двойной гетероструктуре
3.6.8. Конструкции полупроводниковых лазеров
3.6.9. Основные параметры и характеристики полупроводниковых лазеров
3.6.10. Динамические одномодовые лазерные структуры
3.6.11. Влияние температуры на параметры полупроводниковых лазеров
3.6.12. Схема управления полупроводниковым лазером
3.6.13. Современные полупроводниковые лазеры
3.7. Разновидность лазеров
3.7.1. Газовые лазеры
3.7.2. Твердотельные лазеры
3.7.3. Полупроводниковые лазеры с электронным возбуждением

4. Оптроны и оптронные микросхемы
4.1. Классификация оптронов
4.2. Основные параметры оптронов
4.2.1. Входные параметры оптронов
4.2.2. Выходные параметры оптронов
4.2.3. Передаточные параметры оптопар
4.2.4. Параметры изоляции
4.3. Резисторы оптопары
4.4. Диодные оптопары
4.5. Транзисторные оптопары
4.6. Тиристорные оптопары
4.7. Оптоэлектронные микросхемы
4.8. Конструкция оптронов

5. Использование фоточувствительных приборов в электронных схемах
5.1. Схемы включения фоторезисторов
5.2. Практические схемы с фоторезисторами
5.3. Коррекция характеристик фоторезисторов
5.4. Схемы включения фотодиодных датчиков оптического излучения
5.5. Особенности применения лавинных фотодиодов
5.6. Схемы на фототранзисторах
5.7. ФПУ на пироэлектрических приемниках излучения
Список литературы